새로 고침 주기란 무엇입니까?

컴퓨터에는 두 가지 유형의 RAM 클래스 메모리가 있을 수 있습니다. RAM이라고 하는 것은 시스템 메모리 또는 시스템 RAM입니다. 이 종류의 RAM을 DRAM이라고 합니다. 이 클래스에는 DRAM이 통합된 일부 SSD도 있을 수 있습니다. 그래픽 카드의 VRAM도 DRAM의 하위 집합입니다. 실제 CPU와 GPU 자체에 다른 유형의 RAM이 있습니다. SRAM은 온다이 캐시에 사용됩니다.

SRAM은 빠릅니다. 그러나 제곱센티미터당 기가바이트 측면에서 특히 밀도가 높지 않아 높은 가격에도 기여합니다. DRAM이 더 느립니다. 그러나 저장 밀도가 훨씬 높고 훨씬 저렴합니다. 이러한 이유로 SRAM은 프로세서 다이에서 고속 메모리로 소량 사용되며 DRAM은 위에서 설명한 것과 같은 더 큰 메모리 풀에 사용됩니다.

SRAM과 DRAM의 차이점은 실제 구조에서 분명합니다. SRAM은 4~6개의 트랜지스터를 사용하는 반면 DRAM은 단일 트랜지스터와 커패시터를 사용합니다. 여기에서 스토리지 밀도 비교가 시작됩니다. DRAM에는 부품 수가 적기 때문에 각 메모리 셀이 더 작아집니다.

디자인 차이는 또 다른 효과가 있지만 하나는 둘의 이름 지정 요소가 될 만큼 충분히 큽니다. SRAM의 S는 Static을 나타내고 DRAM의 D는 Dynamic을 나타냅니다. 이는 SRAM이 콘텐츠를 무기한 유지할 수 있는 반면 DRAM은 정기적으로 새로 고쳐야 함을 나타냅니다.

참고: 이것은 지속적인 전원 공급이 가능하다고 가정합니다. SRAM은 여전히 ​​휘발성 메모리이며 전원이 끊기면 보유하고 있는 데이터를 잃게 됩니다. DRAM과 같습니다.

메모리 새로 고침이란 무엇입니까?

DRAM의 회로 수준 아키텍처는 메모리 셀의 전하가 시간이 지남에 따라 감소함을 의미합니다. DRAM이 장기간 데이터를 저장할 수 있도록 각 메모리 셀을 정기적으로 새로 고쳐야 합니다. 이것에 대해 알아야 할 몇 가지 중요한 사항이 있습니다. 첫 번째는 새로 고침하는 동안 메모리에 액세스할 수 없다는 것입니다. 이는 또한 DRAM 셀을 재생해야 하는 빈도에 따라 성능이 제한될 수 있음을 의미합니다.

일반적으로 DRAM 셀은 64밀리초마다 새로 고쳐지지만 고온에서는 반으로 줄어듭니다. 셀의 각 행은 한 번에 모두 발생하여 64밀리초마다 상당한 딸꾹질이 발생하는 것을 방지하기 위해 독립적으로 새로 고쳐집니다.

영리하게도 메모리 컨트롤러는 RAM 모듈이 읽기 데이터 전송과 같이 메모리 읽기 또는 쓰기를 방지하는 다른 작업을 수행하는 동안 새로 고침 주기가 발생하도록 시간을 정합니다. 고맙게도 셀을 새로 고치는 데 필요한 시간은 일반적으로 75나 120나노초로 작습니다. 이는 DRAM 칩이 재생 작업을 수행하는 시간의 약 0.4% ~ 5%를 소비한다는 것을 의미합니다.

DRAM을 새로 고치는 방법

DRAM에서 데이터를 읽는 것에 대해 모를 수도 있는 것은 그것이 파괴적이라는 것입니다. 메모리 셀에서 데이터를 읽으면 해당 데이터가 파괴됩니다. 이를 사용자에게 숨기기 위해 모든 읽기 작업은 데이터를 읽고 전송하며 동일한 데이터를 사전 충전이라는 동작으로 메모리 셀에 다시 씁니다. 불행하게도 표준 읽기 이벤트는 사용된 모든 DRAM 행에 도달하는 데 의존할 수 없으므로 특정 새로 고침 작업이 필요합니다.

새로 고침 작업은 복잡하지 않습니다. 실제로 행의 특정 열을 읽는 것보다 한 번에 전체 행을 새로 고치려고 하기 때문에 행을 새로 고치는 신호도 더 작고 효율적입니다. 리프레시 프로세스는 데이터를 감지 증폭기로 읽고 비교적 느린 출력 버퍼가 아닌 셀로 곧장 다시 보냅니다.

이 모든 것은 자동으로 발생합니다. 메모리 컨트롤러는 CPU가 인식하지 못한 채 모든 것을 관리합니다.

특이치

DRAM 충전은 감소하지만 연구 결과에 따르면 단일 칩에서도 DRAM 셀 간에 속도가 크게 다릅니다. 상위 퍼센트 정도는 표준 온도에서 새로 고칠 필요 없이 최대 50초 동안 데이터를 유지할 수 있습니다. 90%는 10초, 99%는 3초, 99.9%는 1초 동안 데이터를 저장할 수 있습니다.

안타깝게도 일부 이상값은 훨씬 더 자주 새로 고쳐야 합니다. 최악의 시나리오도 허용하기 위해 DRAM 재생 시간은 짧습니다. 이 선택은 데이터가 손실되지 않도록 보장하지만 전력 사용량과 성능에도 영향을 미칩니다.

일부 연구자들은 RAM 셀을 분석하고 비닝하는 대체 방법을 제안했으며 더 나은 감쇠 시간을 가진 방법을 사용하는 것을 선호합니다. 이것은 저전력 배터리 전원 장치에서 특히 유용한 향상된 전력 사용으로 이어질 것입니다. 그러나 그것은 또한 다양한 수준의 RAM 성능으로 이어질 것입니다.

또한 온도에 따른 감쇠 시간의 변화도 고려해야 합니다. 설상가상으로, 일부 셀은 가끔 전하 유지 성능을 잃습니다. 즉, 이것에 너무 많이 의존하면 때때로 좋은 것으로 추정되는 메모리 셀이 불량해져 정기적인 리비닝이 필요할 수 있습니다. .

결론

재생 주기는 메모리 셀이 재생되는 DRAM 모듈의 프로세스입니다. 이는 DRAM의 회로 설계로 인해 전하 감쇠가 발생하기 때문에 필요합니다. 정기적으로 메모리 셀을 새로 고치면 데이터 손실을 방지할 수 있습니다. SRAM은 회로 설계로 인해 전하 소모가 발생하지 않으므로 새로 고칠 필요가 없습니다.

참고: 갱신 주기는 사용자 또는 조직의 정기적인 하드웨어 업데이트를 의미할 수도 있습니다.