RAM 오버클러킹: 기본 사항

컴퓨터에서 최상의 성능을 얻으려면 좋은 부품을 구하는 것이 필수적입니다. 견고한 컴퓨터가 있으면 약간의 조정을 통해 더 나은 성능을 얻을 수 있습니다. CPU, GPU 및 RAM은 모두 기본 성능 수준으로 제공됩니다. 과열을 일으키지 않을 만큼 충분한 냉각 능력이 있다고 가정하면 일반적으로 대부분의 시나리오에서 작동하도록 설계되었습니다. 하지만 냉각 능력이 충분하다면 오버클러킹을 통해 조금 더 밀어붙일 수 있습니다.

오버클러킹은 시스템 불안정과 잠재적인 하드웨어 손상 또는 심지어 하드웨어 고장의 위험을 수반합니다. 일반적으로 수동 오버클럭킹은 적어도 영향을 받는 부품의 보증을 무효화합니다. 경우에 따라 한 부품을 오버클러킹하면 다른 부품에 대한 보증이 무효화될 수 있습니다. 예를 들어 제조업체에서 제공한 XMP 프로필을 활성화하더라도 RAM을 오버클러킹하면 CPU의 메모리 컨트롤러에 대한 비표준 스트레스가 증가하여 잠재적으로 CPU 오류가 발생할 수 있으므로 적어도 일부 Intel CPU의 보증이 무효화될 수 있습니다. 이러한 종류의 고장을 방지하려면 특히 전압을 높일 때 주의해야 합니다.

모든 오버클러킹의 핵심

오버클러킹 성능은 주로 운과 환자의 시행착오를 기반으로 합니다. PC에는 다양한 하드웨어가 있기 때문에 일부 컴퓨터에서 작동하는 것이 다른 컴퓨터에서는 작동하지 않을 수 있습니다. 또한 오버클럭되는 실리콘 구성 요소는 실리콘 복권이라고 하는 성능 수준이 다를 수 있습니다. 하드웨어의 성능은 단순히 실리콘 복권의 운에 달려 있습니다.

일반적으로 제조업체는 비닝 프로세스에서 테스트하는 동안 제품을 다른 성능 "빈"으로 분류합니다. 더 나은 빈 부품은 일반적으로 하위 빈에 있는 부품이 높은 설정에 도달하지 못할 수 있으므로 고급 제품으로 끝납니다. 그렇다고 더 나은 성능을 위해 더 낮은 비닝 및 더 저렴한 부품을 오버클럭할 수 없다는 의미는 아닙니다. 단지 더 높은 비닝된 부품만큼 멀리 갈 수 없는 경향이 있다는 것입니다.

실제 오버클러킹 경험과 관련하여 핵심은 여러 가지를 시도한 다음 안정성을 확인하는 것입니다. 컴퓨터를 부팅할 수 있는 것만으로는 충분하지 않습니다. 안정적인 것처럼 보이는 설정을 가질 수 있지만 몇 시간 동안 많은 부하 테스트를 거친 후 오류가 표시됩니다. 이러한 오류의 심각도는 일부 데이터 손상에서 응용 프로그램 충돌, 전체 시스템 충돌에 이르기까지 다양할 수 있습니다. 오버클러킹을 할 때 시험 실행당 적은 수, 이상적으로는 하나만 변경하여 해당 시험에서 성능을 측정하고 장기적인 안정성을 모니터링하는 것이 중요합니다.

RAM 오버클러킹: XMP

CPU는 일반적으로 가장 잘 알려진 형태의 오버클러킹입니다. 시작하는 방법에 따라 단일 또는 다중 스레드 워크로드에서 적절한 성능 향상을 얻는 것은 비교적 간단합니다. GPU 오버클러킹은 GPU가 이미 열 및 전력 제한 근처에서 실행되는 경향이 있으므로 조금 덜 일반적입니다. 그럼에도 불구하고 게임 내 성능을 약간 향상시키기 위해 약 200MHz의 작은 개선을 달성할 수 있습니다.

RAM 오버클럭킹은 아마도 세 가지 중에서 가장 잘 알려지지 않았지만 가장 일반적으로 사용되는 것일 수 있습니다. 기술적으로 각 세대의 RAM에는 표준 기관인 JEDEC에서 발표한 표준 속도와 타이밍이 제한되어 있습니다. RAM 제조업체는 이러한 표준을 초과할 수 있는 RAM을 만들고 XMP 프로필에 구성된 설정으로 판매할 수 있습니다. XMP는 eXtreme Memory Profile의 약자로, XMP 프로필 끝에 있는 "프로파일"이라는 단어가 중복되지만 일반적으로 사용됩니다.

XMP는 기본적으로 플러그 앤 플레이 RAM 오버클러킹에 탁월한 옵션입니다. 결국 모든 시스템이 호환되는 것은 아니지만 일반적으로 RAM을 연결한 다음 기껏해야 BIOS에서 XMP 설정을 켜기만 하면 됩니다. XMP 프로필은 공급업체 승인을 받았기 때문에 이를 사용해도 RAM 보증이 무효화되지 않습니다. 그러나 위에서 언급했듯이 CPU 보증이 무효화될 수 있습니다. 거의 노력 없이 간단한 성능 향상을 원한다면 XMP가 탁월합니다.

물론 XMP 프로필은 공급업체가 기꺼이 보장하는 안전한 선택인 경우가 많습니다. 그러나 일부 수동 실험을 통해 일반적으로 더 추진할 수 있습니다. 또한 XMP를 사용하면 공급업체가 RAM 타이밍의 작은 하위 섹션만 지정할 수 있으므로 일부는 성능에 영향을 미치고 수동 조정이 무르익을 수 있습니다.

RAM 벤치마킹 및 안정성 테스트

RAM 오버클러킹을 시작하기 전에 XMP 활성화를 제외하고 RAM의 기본 성능을 아는 것이 중요합니다. 일부 메모리 벤치마크를 실행하고 해당 값을 특정 형식(이상적으로는 스프레드시트)으로 저장하고 싶을 것입니다. Aida64의 메모리 테스트는 널리 사용되는 벤치마킹 도구입니다. 벤치마킹 기능이 있다고 가정하고 일반적으로 플레이하는 게임에서 여러 벤치마킹 실행의 평균을 구하는 것도 도움이 될 수 있습니다. 게임 벤치마크를 수행하는 경우 저해상도에서 실행하여 CPU가 병목 현상을 일으키는지 확인하는 것이 가장 좋습니다. GPU 제한 시나리오에 있는 경우 RAM 성능과의 통계적 차이를 확인하기가 훨씬 더 어렵습니다.

설정을 변경할 때마다 반드시 그렇게 할 필요는 없습니다. 장기간 로드 시 설정이 안정적인지 확인하는 것이 중요합니다. 매번 변경 후 장기간 스트레스 테스트를 실행하지 않더라도 매번 짧은 테스트를 실행할 필요가 있습니다. 대부분의 경우 메모리 오류는 10분의 빠른 스트레스 테스트 내에 분명해지기 때문에 좋은 출발점입니다.

참고 : 모든 변경 사항을 테스트해야 하는 유일한 예외는 프로세스 시작 시점입니다. 작은 변경을 할 수 있다고 확신하고 변경을 실행 취소하고 다시 테스트해야 하는 것을 꺼리지 않는다고 가정합니다. 이 경우 일반적으로 처음에는 이 문제를 해결할 수 있습니다.

예를 들어 클록 주파수를 200MHz씩 늘리고 각 기본 타이밍을 2씩 떨어뜨린다고 가정합니다. 이 경우 이것이 안정적이며 잠재적으로 상당한 시간을 절약할 수 있습니다. 타이밍을 적절하게 조이고 하드웨어의 안정성 가장자리에 도달하기 시작하면 작동 가능성이 훨씬 줄어듭니다.

장기 안정성 테스트

불행히도 메모리 안정성 문제는 운영 체제를 부팅하고 벤치마크를 실행할 수 있을 정도로 드물 수 있습니다. 6시간의 스트레스 테스트 후에만 넘어집니다. 일회성 세계 기록 오버클러킹 실행을 시도하는 경우에만 충분할 수 있지만 컴퓨터를 사용하려는 경우에는 충분하지 않습니다.

안정성 테스트 및 성능 로깅은 소리가 나고 단조롭고 지루할 수 있지만 필요합니다. 안정성을 테스트하지 않으면 컴퓨터가 충돌하거나 데이터가 손상될 수 있으며 이는 결코 좋지 않습니다. 변경 사항을 기록하지 않고 변경된 각 설정으로 얻은 성능 통계를 보면 실제로 더 나은 것을 만들고 있는지 알 수 없습니다. 또는 두 개인차가 안정적이지만 둘 다 함께는 그렇지 않은 경우 롤백하는 것을 선호하는 변경 사항입니다. 다행히 로깅은 설정 조정을 완료한 후 전반적인 성능 향상을 확인하고 공유할 수 있음을 의미합니다.

클록 속도 증가

메모리 오버클러킹에서 변경할 수 있는 두 가지 주요 항목이 있습니다. 주기당 시간/초당 주기 및 특정 작업에 대한 주기 수입니다. 클록 속도는 초당 사이클 수를 제어하며 높을수록 더 좋으며 더 큰 대역폭을 허용합니다. 대기 시간은 단일 클록 주기 시간과 특정 작업에 필요한 주기 수의 곱입니다. 이러한 작업의 주기 수는 메모리 타이밍으로 표시됩니다. 숫자가 낮을수록 좋지만 메모리 클럭 속도가 증가함에 따라 타이밍도 증가할 수 있으며 일반적으로 증가해야 합니다.

예를 들어 CL 타이밍이 16인 DDR4-3200 메모리와 CL 타이밍이 32인 DDR5-6400 메모리가 있는 경우 후자는 대역폭이 두 배입니다. 두 배의 클럭 속도로 실행되어 초당 두 배의 전송이 가능하기 때문입니다. 그러나 실제 메모리 대기 시간은 동일합니다. 이는 타이밍이 절대값이 아니라 단일 클록 주기의 카운트이기 때문입니다. 단일 클록 주기의 시간을 반으로 줄임으로써 두 배가 된 CL 타이밍이 취소되기 때문에 대기 시간은 동일합니다.

참고 : 곧 다루겠지만 CL은 많은 타이밍 중 하나일 뿐이며 영향을 미칠 수 있지만 메모리 대기 시간의 유일한 척도는 아닙니다.

타이밍 풀기

클록 속도를 최대한 높이면 대역폭을 높일 수 있습니다. 타이밍을 동일하게 유지하려고 노력할 수 있지만 타이밍이 너무 빡빡하기 때문에 그렇게 하면 그다지 멀리 가지 못할 것입니다. 클럭 속도를 더 높이려면 타이밍을 느슨하게 해야 합니다. 나중에 조일 수 있지만 가능한 최대 클럭 속도로 조이기를 원합니다.

시간을 절약하려면 동일한 메모리 범위에서 동일한 벤더가 제공하는 더 빠른 메모리 속도에 대한 타이밍을 찾아보십시오. 이것은 시작하기에 좋은 장소를 제공할 수 있습니다. 그러나 타이밍을 조금 더 느슨하게 해야 할 수도 있습니다. 브랜드에 더 빠른 변형이 없다고 가정합니다. 이 경우 동일한 DRAM IC OEM 및 다이 변형을 사용하는 다른 브랜드의 통계를 찾는 데 성공할 수 있습니다. 그래도 클록 속도 변화에 비례하여 타이밍을 늘리는 것이 더 쉬울 수 있으며 필요한 경우 조금 더 높일 수 있습니다.

메모리 기어

기술적으로 오버클럭킹은 아니지만 메모리 기어 설정은 안정성에 상당한 영향을 미칠 수 있습니다. 또한 특정 범위 내에서 시계를 밀지 않도록 유도할 수 있습니다. 기본적으로 메모리는 메모리 컨트롤러와 1:1 클럭 속도 비율로 실행되는 경향이 있습니다. 메모리 클럭 속도를 높이면 메모리 컨트롤러의 부하가 크게 증가합니다. 이는 열 생산 및 전압 요구 사항을 증가시킵니다. 높은 열과 전압은 안정성 문제를 일으킬 수 있습니다. 최악의 시나리오에서는 메모리 컨트롤러와 CPU를 죽일 수 있습니다. 이것이 메모리 오버클럭킹이 잠재적으로 CPU 보증을 무효화할 수 있는 이유입니다.

Gear 2는 메모리 컨트롤러를 메모리 클럭과 1:2 비율로 맞춥니다. 이렇게 하면 메모리 컨트롤러의 부하가 크게 줄어들지만 약간의 추가 대기 시간이 발생합니다. 일반적으로 안정성을 위해 기어 2를 활성화해야 하는 지점은 3600MT입니다. 불행하게도 그렇게 하는 데 따른 대기 시간 페널티는 최대 약 4400MT까지 실제 성능 페널티가 있음을 의미합니다. 4400MT 이상의 안정적인 설정에서 메모리를 실행할 수 있다면 Gear 2가 이상적입니다. 그러나 3600MT를 넘을 수 있지만 4400MT는 넘을 수 없다면 클럭 속도를 3600MT로 되돌립니다. 대신 메모리 타이밍을 더 강화하는 데 집중합니다.

참고: Gear 4는 기술적으로 DDR5용으로 제공됩니다. 동일한 단점을 가진 동일한 이유로 비율을 1:4로 설정합니다. 현재 DDR5 메모리는 Gear 4를 활용할 만큼 빠르지 않습니다.

CAS 대기 시간

RAM 대기 시간에 대한 표준 측정은 CAS 대기 시간에서 가져옵니다. 이것은 종종 CL, tCAS 또는 tCL로 축약됩니다. 메모리 타이밍 에 대한 최근 가이드에서 다룬 것처럼 tCL은 RAM이 이미 열려 있는 행의 열에 대한 액세스를 얼마나 빨리 제공할 수 있는지 측정합니다. 거의 모든 메모리 타이밍과 마찬가지로 클럭 속도가 증가함에 따라 상향 스케일링을 기대할 수 있지만 낮을수록 좋습니다. 이 값을 낮출 때는 항상 균등하게 유지하십시오. 홀수는 훨씬 덜 안정적인 경향이 있습니다.

참고: tCL 및 기타 모든 메모리 타이밍에 대해 클럭 속도가 증가하는 상향 조정은 표기법 때문입니다. 타이밍은 어떤 작업을 수행하는 데 걸리는 클럭 주기의 모든 측정값입니다. 어떤 작업을 수행하는 데 걸리는 절대 시간은 클록 속도가 증가해도 변하지 않습니다. 예를 들어 RAM은 10나노초 안에만 열을 열 수 있습니다. 타이밍은 클록 주기의 절대 시간을 반영하기만 하면 됩니다.

RAS에서 CAS로의 지연

tRCD는 열려 있는 행이 없다고 가정할 때 행을 여는 데 필요한 최소 프로세서 주기 수입니다. 이것은 각각 쓰기와 읽기를 나타내는 tRCDWR과 tRCDRD로 구분될 수 있습니다. 위의 값이 분리된 경우 두 값은 동일해야 합니다. 이 값은 반드시 균등할 필요는 없으며 일반적으로 tCL보다 약간 높습니다.

행 활성화 시간

tRAS는 열려 있는 행과 행을 다시 닫기 위해 실행되는 사전 충전 명령 사이의 최소 주기 수입니다. 이것은 역사적으로 tRCD + tCL의 가치였습니다. 그러나 현재 DDR5 모듈의 경우 tRCD +(2x tCL)에 더 가깝게 설정된 것으로 보입니다. 플랫폼의 성숙도 부족 또는 플랫폼에 필요한 변경 사항을 고려할 때 이것이 최적화 부족인지 확실하지 않습니다. 플랫폼에 따라 이 타이머를 성공적으로 조일 수 있습니다.

은행 주기 시간

tRC는 행이 전체 주기를 완료하는 데 걸리는 주기 수입니다. 최소한 tRAS + tRP로 설정해야 합니다. 우리는 tRP를 언급하지 않았습니다. 여기서 조임은 성능에 많은 영향을 미치지 않습니다. 행을 닫기 위해 선충전 명령을 완료하는 데 필요한 최소 주기 수입니다.

RAS에서 RAS로의 지연

tRRD는 DRAM의 물리적 랭크에서 서로 다른 뱅크에 대한 "활성화" 명령 사이의 최소 주기 수를 지정합니다. 뱅크당 하나의 행만 열 수 있습니다. 그러나 여러 뱅크를 사용하면 한 번에 하나만 상호 작용할 수 있지만 여러 행을 한 번에 열 수 있습니다. 이는 파이프라인 명령에 도움이 됩니다. 메모리 컨트롤러에서 허용하는 최소값은 4주기입니다. 이것은 tRRD_S 및 tRRD_L의 두 가지 개별 타이밍으로 분할될 수 있으며 각각 짧고 긴 것을 의미합니다. 이들은 각각 다른 뱅크 그룹 또는 동일한 뱅크 그룹의 뱅크에 액세스할 때 tRRD를 참조합니다. Short 값은 4주기의 최소값을 유지해야 합니다. 긴 값은 일반적으로 짧은 값의 두 배이지만 더 긴축될 수 있습니다.

4개의 활성화 창

다섯 번째 활성화 창이라고도 하는 tFAW는 4개의 활성화 명령만 실행할 수 있는 시간 창을 지정합니다. 행을 여는 데 드는 전력이 상당하기 때문입니다. 이 롤링 기간에 4개 이상의 활성화를 수행하면 다섯 번째 활성화가 행의 값을 안정적으로 읽을 수 없을 정도로 낮은 가용 전력을 갖게 될 수 있습니다. 최소 4x tRRD_s여야 합니다. 이보다 낮은 값은 무시됩니다.

시간 새로 고침 명령

tRFC는 새로 고침 명령이 수행해야 하는 최소 주기 수입니다. DRAM은 동적이기 때문에 메모리 셀이 전하를 잃지 않도록 정기적으로 메모리 셀을 새로 고쳐야 합니다. 새로 고침 프로세스는 은행이 적어도 tRFC의 전체 기간 동안 유휴 상태를 유지해야 함을 의미합니다. 분명히 이것은 특히 소수의 은행에서 성능에 영향을 미칠 수 있습니다. 이 숫자는 일반적으로 상대적으로 보수적이며 일반적으로 약간 줄일 수 있습니다. tRFC를 너무 강화하면 광범위한 메모리 손상 문제가 발생할 수 있습니다.

시간 새로 고침 간격

tREFI는 두 가지 이유로 모든 DRAM 타이밍 중에서 고유합니다. 첫째, 유일한 타이밍은 최소값 또는 정확한 값이 아닌 평균값입니다. 둘째, 성능 향상을 위해 증가해야 하는 유일한 값입니다. tREFI는 tRFC로 길이로 정의된 새로 고침 주기 사이의 평균 시간입니다. 이 값은 그 어느 때보다 훨씬 높을 것입니다. 안정적으로 유지하면서 가능한 한 높게 유지하기를 원합니다. 일반적인 값은 10~30,000주기 범위입니다. 그러나 65534의 최대값으로 안정적일 수 있습니다. 이 값은 tRFC보다 커야 합니다. 현재 AMD 플랫폼은 이 값을 전혀 노출하지 않으며 Intel 플랫폼에서는 지원이 제한될 수 있습니다.

다른 타이밍과 마찬가지로 업데이트된 tREFI 값이 안정적인지 확인하기 위해 장기 안정성 테스트를 수행하는 것이 중요합니다. 당신은 확실히 높은 곳에서 시작해서 당신의 길을 내려가야 합니다. 숫자가 너무 높으면 안정성 문제를 표시하는 데 몇 시간이 걸릴 수 있습니다. 염두에 두어야 할 또 다른 사항은 온도가 증가함에 따라 DRAM 셀의 전하 감소율이 증가한다는 것입니다. 이것은 높은 tREFI를 얻으려면 전압을 줄여야 할 수도 있음을 의미합니다. RAM의 공기 흐름이 좋은지 확인해야 할 수도 있습니다. 경우에 따라 간신히 안정적인 구성에서 계절 간 온도 변화 또는 장시간 실행하는 동안 실내의 온도 변화로 인해 신중한 균형이 깨질 수 있습니다. 이로 인해 이전에 안정적인 구성이 불안정해질 수 있습니다.

안전한 전압

전압은 오버클러킹에 항상 필수적입니다. 전압이 높을수록 안정적인 오버클럭 가능성이 높아집니다. 더 높은 전압은 또한 열 생산을 크게 증가시키는 경향이 있습니다. 또한 하드웨어를 중단시킬 위험도 높아지므로 주의하십시오. 불행히도 안전한 가치는 없습니다. 이는 메모리 칩이 다르게 작동하는 여러 메모리 IC OEM이 있기 때문입니다. 또한 부분적으로는 수많은 전압 설정이 유용하게도 이름이 다를 수 있기 때문입니다. 일반적으로 이러한 값을 크게 늘리고 싶지는 않습니다.

DDR4의 경우 일반적으로 1.35V가 모든 경우에 적합합니다. 일부 DDR4 DRAM IC는 1.5V에서 매일 사용하는 경우에도 완벽하게 안정적일 수 있습니다. 어떤 경우에는 조금 더 안전할 수도 있습니다. DDR5의 경우 전류-전압 권장 사항은 동일합니다. 플랫폼의 미성숙성을 고려할 때 이는 시간이 지남에 따라 변경될 수 있습니다.

참고: BIOS에서 정격 전압을 높이기 전에 항상 정확한 용어를 조사하여 무엇을 변경하는지 알아야 합니다. 전압을 높이면 보증이 무효화되면서 CPU, RAM 및 기타 하드웨어가 100% 중단될 수 있습니다.

기본값이 1.35V에서 멀리 떨어져 있는 경우 특히 주의하십시오. 이는 잘못된 일을 하고 있음을 나타낼 수 있습니다. 여기에는 안전 장치나 온전성 검사가 없습니다. BIOS는 사용자가 수행 중인 작업을 알고 있다고 가정하고 하드웨어를 죽일 수 있는 위험을 감수합니다.

위험한 전압 및 저전압

안정성을 달성하기 위해 전압을 1.35V 이상으로 높여야 한다고 가정합니다. 이 경우 가지고 있는 DRAM IC OEM의 다이 변형을 조사할 가치가 있습니다. 이 사실을 알게 되면 일부 메모리 오버클러킹 포럼을 조사하여 일상적인 사용을 위한 권장 전압 제한을 확인할 수 있습니다. 마일리지는 성능, 안정성 및 중요하게는 하드웨어를 죽이지 않는 것과 관련하여 다를 수 있습니다.

권장되는 것보다 더 많은 전압을 제공할 수 있지만 문제 없이 이상적으로는 안전합니다. 일반적으로 권장 값을 약간 미달하는 것이 가장 좋습니다. 대부분의 사람들에게 오버클러킹과 오버볼팅을 통해 한계까지 짜낼 수 있는 마지막 약간의 추가 성능은 하드웨어를 죽이고 교체하는 알 수 없는 위험을 감수할 가치가 없습니다.

RAM에서 안정적인 오버클럭에 전화를 걸면 전압을 다시 낮추는 실험을 해 볼 가치가 있습니다. 언더볼팅은 작동 전압을 낮추는 과정입니다. 일반적으로 하드웨어를 더 시원하고 안전하게 실행할 수 있습니다. CPU 및 GPU 오버클럭킹에 더 중요합니다. 온도 감소로 인해 피크 클럭 속도가 약간 증가할 수 있습니다. 그러나 RAM 속도는 그런 온도에 따라 조정되지 않습니다. RAM의 전압을 낮추면 특히 오버클러킹 프로세스 시작 시 전압을 높인 후 하드웨어 사망 위험이 줄어들고 실행 온도가 낮아집니다.

다른 타이밍

당신이 만지작거릴 수 있는 다른 2차 및 3차 타이밍이 많이 있습니다. 그러나 위에 나열된 항목은 가장 상당한 성능 향상을 제공하는 경향이 있는 항목입니다. 이러한 모든 값을 가능한 가장 엄격한 설정으로 구성합니다.

그 동안 안정성을 확인하는 데 일반적으로 최소한의 성능 향상을 위해 며칠 또는 몇 주가 소요될 수 있습니다. 언급된 설정에 대한 변경을 제한함으로써 필요한 최소한의 시간으로 최대한의 개선을 얻을 수 있습니다. 권장 설정만 조정하면 프로세스가 짧아진다는 의미로 받아들여서는 안 됩니다. 더 빠르지만 짧지는 않습니다.

결론

RAM의 성능을 향상시키는 다양한 방법이 있습니다. 대부분의 설정은 그 자체로 최소한의 성능 향상을 가져오지만 결합하면 좋은 향상이 가능합니다. 완전 초보자에게는 XMP가 적합합니다. 켜기만 하면 되는 플러그 앤 플레이 솔루션으로서 탁월합니다.

조금 더 나아가고 싶다면 빈도를 높이고 CAS 대기 시간을 줄이는 것이 일반적으로 권장되는 빠르고 쉬운 승리입니다. 그 후, 당신은 꽤 깊이 있습니다. 최적화 프로세스는 하드웨어 한계에 도달하는 데 몇 주가 걸릴 수 있습니다.

조심하는 것도 중요합니다. 오버클러킹은 특히 전압을 너무 많이 올리면 하드웨어를 죽일 수 있습니다. 합리적인 한도 내에서 유지하는 한 금전적 비용 없이 컴퓨터에서 상당한 양의 추가 성능을 짜낼 수 있습니다. 우리 책에서 승리입니다.