如何克隆硬碟
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Optane 是 Intel 內存產品的品牌名稱,稱為 3D XPoint(發音為“cross point”,而不是“ex point”)。基於 3D XPoint 的內存也由 Micron 以 QuantX 品牌銷售。兩家公司共同開發了 3D XPoint 內存技術。3D XPoint 於 2015 年宣布,並於 2017 年上市。然而,在 2021 年和 2022 年,美光和英特爾關閉了各自從事該技術和相關產品的部門,實際上扼殺了這一概念。
是什麼讓 Optane 與眾不同?
Optane 是一個令人興奮的內存概念,因為它擺脫了傳統的內存存儲方法。Optane 沒有將數據位存儲為電荷,或者沒有電荷。Optane 的實際存儲方法有點不清楚。英特爾的營銷信息不同於第三方使用電子顯微鏡和其他查看內存單元結構所需的高科技設備的觀察結果。它根據 PCM 或 ReRAM 的原理運行。
PCM 代表相變存儲器,而 ReRAM 代表電阻式 RAM。兩者背後的物理原理略有不同,但總體概念是相同的。如果在短時間內提供大量電流,則可以快速加熱和冷卻存儲材料。這會導致材料中的精細結構分解,從而增加其電阻。
通過在稍長的時間內提供較低水平的電流,您可以使材料發生不同的變化。當加熱得更慢時,它會以結晶形式冷卻,導電性良好。通過施加更少量的電流,您可以測量電池是否導電,從而確定它處於哪種狀態,讀數為 1 或 0。由於存儲方法的原因,Optane 是非易失性的,這意味著它不會斷電時丟失存儲的數據。
Optane 的設計目的是什麼?
與 HDD 相比,SSD 非常快。儘管如此,與 DRAM 相比,它們仍然很慢。不幸的是,雖然 RAM 快得多,但它也貴得多並且需要更多空間。Optane 被宣傳為一種缺失環節的存儲層,其性能介於 DRAM 和 NAND 閃存之間。但實際上,性能數據比這要復雜一些。
設計理念意味著 Optane 在技術上與 NAND 閃存和 DRAM 有根本區別。這種差異為性能開闢了新的機會,並為未來的發展提出了希望。DRAM 和 NAND 閃存用了幾十年時間才達到目前的性能水平。Optane 在某些方面能夠匹敵或超過尖端的 NAND 閃存,並且其性能特徵有點像 RAM,但還沒有達到那個水平。經過幾十年的優化,Optane 以如此少的開發就擁有了這種性能水平這一事實表明它的偉大之處。
英特爾發布了兩種格式的傲騰產品。第一個是使用 Optane 內存的 SSD。在基準測試中,Optane SSD 通常表現出異常的競爭力。另一種格式是插入標準 RAM 插槽的 DIMM。在受支持的英特爾平台(主板、芯片組和 CPU)上,此 DIMM 可以配置為主系統內存,同時推動 DRAM 充當 L4 緩存。
作為一種高性能、低延遲的內存架構,Optane 旨在充當 DRAM 和存儲之間的中間內存級別。長期計劃希望能夠替代一種或兩種技術。
的優點和缺點
在 PCIe 連接的峰值帶寬主要限制它們的領域,Optane 通常能夠跟上頂級 SSD 的步伐。在某些測試中,它們的表現優於其他 SSD 市場。兩個關鍵統計數據是訪問延遲和 IOPS。Optane SSD 在作為標準 SSD 呈現給系統時也具有直接兼容性。
不幸的是,雖然 Optane 的高性能使其可以與高端 SSD 競爭,但它的生產成本遠高於 NAND 閃存。這留下了兩個選擇。英特爾可以以天價或類似的價格出售具有競爭力容量的型號,但容量會降低。英特爾選擇銷售低容量機型,至少直接面向消費者。
與 RAM 相比,Optane 速度較慢,但幅度不大。它的延遲是它的兩倍,但仍然比 NAND 閃存快得多。然而,RAM 的重要製勝因素是價格。儘管 Optane 無法在單位容量成本上與 NAND 競爭,但 DRAM 也無法與 Optane 競爭。
因此,雖然用作主內存的 Optane DIMM 模塊比 DRAM 慢,但它們以低得多的價格提供了更大的容量。為了讓它變得更好,大部分性能損失都不會被識別,因為 DRAM 將充當一個重要的 L4 緩存層。這使得 Optane 成為具有涉及將大型數據集存儲在內存中的用例的組織的理想選擇。
結論
Optane 是 3D XPoint 內存的英特爾品牌名稱。它的運行方式與 NAND 和 DRAM 完全不同。它不是在電池中存儲電荷,而是使用相變存儲器。這通過巧妙的物理學改變了細胞的電阻。Optane 提供的性能可與高端 NAND 閃存 SSD 媲美。在某些性能特徵上,它更接近 RAM。這使得它既可以作為中間地帶出售,也可以作為兩者的潛在替代品出售。
Optane 有很多希望。性能立即很高,技術相對接近開發過程的開始,至少與更成熟的 NAND 和 DRAM 相比。不幸的是,對於英特爾和美光來說,在推出之後的幾年裡,像 Optane 這樣的 3D XPoint 內存產品並沒有得到大規模的市場接受。這可能主要是由於成本高。持續發展相對緩慢。
沒有重大突破來顯著降低成本或從 DRAM 和 NAND 閃存中脫穎而出,以值得普通消費者的高要價。隨著產品部門的關閉,這項技術基本上已經死了。現有產品可能會繼續銷售,售完即止,因此如果有一款適合您的需求,請盡可能購買。
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